Modélisation numérique de dispositifs de mémoire nanoélectronique

 

Kirk Bevan

Université de Montréal

 

Domaine : technologies de l'information et des communications

Programme établissement de nouveaux chercheurs universitaires

Concours 2012-2013

Des dispositifs de mémoire universels des plus prometteurs amélioreraient considérablement les ordinateurs portables à faible puissance et pourrait même annoncer l'avènement tant attendu de l'ère de l'intelligence artificielle. À tout le moins, de tels dispositifs rendraient possible une refonte totale de l'architecture des sous-systèmes mémoires, permettant ainsi des améliorations considérables de la vitesse des processeurs ou de la puissance consommée. Les mémoires vives à résistance (RRAM) sont parmi les nouvelles technologies de mémoire universelle les plus prometteuses. Dans l'éventail des nombreuses filières de technologies de mémoire vive à résistance, l'implantation ionique de ponts conducteurs à échelle nanométrique est très bien placée en raison de sa variabilité d'échelle et de sa compatibilité avec les méthodes courantes de fabrication industrielle. Pourtant, les mécanismes fondamentaux qui régissent les RRAM ne sont pas encore bien compris. Ce manque de connaissances retarde le passage du stade de prototype conceptuel à celui d'un produit commercial.

Grâce à des activités de recherche et développement en conception automatisée de circuits nanométriques, telles que proposées dans ce document, les mémoires vives pourvues de ponts conducteurs à résistance pourraient devenir l'ultime technologie de mémoire universelle recherchée depuis fort longtemps. Ce document propose ici un projet novateur de recherche sur deux ans qui vise à combler ce besoin urgent, par la mise au point d'un outil de conception assistée par ordinateur de technologies à l'échelle de l'atome (CAOT).