Structures 3D pour des mémoires résistives complémentaires

 

Dominique Drouin

Université de Sherbrooke

 

Domaine : technologies de l'information et des communications

Programme projet de recherche en équipe

Concours 2013-2014

Le projet de recherche proposé concerne les mémoires et concepts de stockage de l'avenir pour les technologies de communication et information. Il est basé sur des dispositifs de commutation résistifs, que l'on dénomme Resistive Random Acces Memory (RRAM).

Notre intention est de fabriquer et caractériser des dispositifs de commutation complémentaire utilisant une approche de réseaux de barre transversale en 3D. Les mémoires résistives complémentaires sont une approche émergente pour prévenir les effets parasitiques et les courants élevés dans les matrices passives de barre transversale. Malgré cette application prometteuse, la fabrication de matrice de barre transversale avec des dispositifs de commutation résistive complémentaire comprend plusieurs défis technologique et physique de réalisation.

Nous présentons une solution reposant sur le procédé de nanodamascene développé à l'Université de Sherbrooke. Cette nouvelle architecture permet un haut degré de contrôle et fiabilité en comparaison à l'architecture simple de barre transversale passive.