Des nanofils InGaN compatible avec le silicium pour le développement de dispositifs actifs et passifs pour les interconnexions optiques et les communications par fibres optiques

 

Lawrence R. Chen

Université McGill

 

Domaine : technologies de l'information et des communications

Programme projet de recherche en équipe

Concours 2015-2016

Une plate-forme de technologie de rupture qui permet l'intégration de dispositifs actifs et passifs pour les interconnextions optiques et le traitement du signal requises dans les centres informatiques et les communications par fibre optiques est nécessaire pour soutenir la croissance de trafic IP.

Notre vision est que des nanofils InGaN qui sont compatibles avec le silicium (c.-à.-d la technologie CMOS) peuvent former la base de cette technologie de rupture. Notre objectif est de développer un ensemble d'outils complet, y compris l'optimisation des paramètres et la croissance du matériel pour une gamme de dispositifs actifs (par exemple les nanolasers) et passifs, ainsi que de sous-systèmes intégrés.

Le projet permettra de réunir trois groupes de recherche de renom de l'Université McGill et l'ÉTS à initier des efforts mondiaux dans le développement d'une telle plate-forme qui peut à son tour mener à des partenariats entre les industries québécoises et internationales et de nouvelles opportunités de développement.

La connaissance scientifique et la formation de personnel hautement qualifié contribueront à améliorer la compétitivité globale du Québec, en particulier dans la technologie de l'information et de la communication.